창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTK62N25 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXTK62N25 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | MegaMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 62A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 31A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 240nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 390W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
공급 장치 패키지 | TO-264(IXTK) | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXTK62N25 | |
관련 링크 | IXTK, IXTK62N25 Datasheet, IXYS Distributor |
RNS1C680MDN1PX | 68µF 16V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 25 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | RNS1C680MDN1PX.pdf | ||
VJ1808A120JBBAT4X | 12pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A120JBBAT4X.pdf | ||
C941U561KVYDCA7317 | 560pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.433" Dia(11.00mm) | C941U561KVYDCA7317.pdf | ||
AS-8.000MAGE-B | 8MHz ±30ppm 수정 12pF 120옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 스루홀 HC49/US | AS-8.000MAGE-B.pdf | ||
SIT8924BE-13-33N-24.137100D | OSC XO 3.3V 24.1371MHZ NC | SIT8924BE-13-33N-24.137100D.pdf | ||
CDLL5916B | DIODE ZENER 4.3V 1.25W DO213AB | CDLL5916B.pdf | ||
ZXMP6A18DN8TA | MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC | ZXMP6A18DN8TA.pdf | ||
EMH2408-TL-H | MOSFET 2N-CH 20V 4A EMH8 | EMH2408-TL-H.pdf | ||
HKQ04021N1S-T | 1.1nH Unshielded Multilayer Inductor 430mA 110 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | HKQ04021N1S-T.pdf | ||
RT0402DRD0713R7L | RES SMD 13.7 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRD0713R7L.pdf | ||
RG1608P-331-W-T5 | RES SMD 330 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608P-331-W-T5.pdf | ||
PWR1913WR036J | RES SMD 0.036 OHM 5% 1/2W 1913 | PWR1913WR036J.pdf |