IXYS IXTP02N120P

IXTP02N120P
제조업체 부품 번호
IXTP02N120P
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220
Datesheet 다운로드
다운로드
IXTP02N120P 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,482.62286
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of IXTP02N120P, we specialize in all series IXYS electronic components. IXTP02N120P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP02N120P, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
IXTP02N120P 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IXTP02N120P 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IXTP02N120P
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IXT(P,Y)02N120P
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체IXYS
계열Polar™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)1200V(1.2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C200mA(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs75옴 @ 100mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 100µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs4.7nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds104pF @ 25V
전력 - 최대33W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220AB
표준 포장 50
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)IXTP02N120P
관련 링크IXTP0, IXTP02N120P Datasheet, IXYS Distributor
IXTP02N120P 의 관련 제품
680pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) CC1206KRX7RABB681.pdf
FUSE 5.5KV 25E DIN E RATED SIEME 55GDMSJ25ES.pdf
OSC XO 1.8V 100MHZ OE SIT8008BCL13-18E-100.000000D.pdf
DIODE ZENER 3V 350MW SOT23 CMPZ5225B TR.pdf
100nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 440 mOhm Max 1210 (3225 Metric) IMC1210ERR10J.pdf
1mH Shielded Wirewound Inductor 30mA 30 Ohm Max Nonstandard ISC1008ER102M.pdf
General Purpose Relay DPST-NO/NC (1 Form A and B) 20VDC Coil Socketable 8-1393806-3.pdf
RES SMD 22.6 OHM 1% 1/8W 0805 RC0805FR-0722R6L.pdf
RES SMD 300K OHM 5% 1/32W 01005 RC0100JR-07300KL.pdf
RES SMD 0.22 OHM 5% 1/2W 2010 CRL2010-JW-R220ELF.pdf
RES 4.53M OHM 1/2W 1% AXIAL CMF554M5300FKEB70.pdf
RES .04 OHM 1% 5W AXIAL WW LVR05R0400FS73.pdf