창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTP10N60P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXT(A,P) 10N60P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | Polar™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 740m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1610pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 200W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXTP10N60P | |
관련 링크 | IXTP1, IXTP10N60P Datasheet, IXYS Distributor |
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![]() | TNPV12103M01DEEA | RES SMD 3.01M OHM 0.5% 1/3W 1210 | TNPV12103M01DEEA.pdf | |
![]() | Y1365V0008BA9W | RES ARRAY 4 RES 10K OHM 8SOIC | Y1365V0008BA9W.pdf | |
![]() | CMF558K0600FKBF | RES 8.06K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF558K0600FKBF.pdf | |
![]() | 80F47R5 | RES 47.5 OHM 10W 1% AXIAL | 80F47R5.pdf |