IXYS IXTP2N60P

IXTP2N60P
제조업체 부품 번호
IXTP2N60P
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 2A TO-220
Datesheet 다운로드
다운로드
IXTP2N60P 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,280.00000
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of IXTP2N60P, we specialize in all series IXYS electronic components. IXTP2N60P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP2N60P, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
IXTP2N60P 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IXTP2N60P 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IXTP2N60P
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IXT(P,Y)2N60P
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체IXYS
계열Polar™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs5.1옴 @ 1A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs7nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds240pF @ 25V
전력 - 최대55W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220AB
표준 포장 50
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)IXTP2N60P
관련 링크IXTP, IXTP2N60P Datasheet, IXYS Distributor
IXTP2N60P 의 관련 제품
120MHz LVCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA ABLNO-120.000MHZ.pdf
DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V SMPD V30D202C-M3/I.pdf
SCR 600V 210A D2PAK TYN20B-600T,118.pdf
390µH Unshielded Wirewound Inductor 130mA 4.64 Ohm Max 2-SMD B82442A1394J.pdf
RES SMD 33K OHM 5% 1/20W 0201 ERJ-1GEJ333C.pdf
RES SMD 1.47K OHM 1% 1/4W 1206 RC1206FR-071K47L.pdf
RES SMD 158 OHM 1% 1/5W 0603 CRGH0603F158R.pdf
RES SMD 523K OHM 1% 1/8W 0805 MCR10EZHF5233.pdf
RES SMD 95.3KOHM 0.1% 1/10W 0805 1676467-5.pdf
RES SMD 6.49K OHM 1% 1/20W 0201 CRCW02016K49FNED.pdf
RES 287K OHM 1/4W 0.1% AXIAL YR1B287KCC.pdf
RES 4.87K OHM 0.6W 0.1% RADIAL Y00074K87000B0L.pdf