창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTQ160N10T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXT(H,Q)160N10T | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | TrenchMV™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 132nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 430W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3P | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXTQ160N10T | |
관련 링크 | IXTQ1, IXTQ160N10T Datasheet, IXYS Distributor |
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![]() | RG2012N-272-B-T5 | RES SMD 2.7K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012N-272-B-T5.pdf | |
![]() | RP73D2B169RBTG | RES SMD 169 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B169RBTG.pdf | |
![]() | CMF554K7000GLEA | RES 4.7K OHM 1/2W 2% AXIAL | CMF554K7000GLEA.pdf |