IXYS IXTQ200N06P

IXTQ200N06P
제조업체 부품 번호
IXTQ200N06P
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P
Datesheet 다운로드
다운로드
IXTQ200N06P 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 8,485.13333
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of IXTQ200N06P, we specialize in all series IXYS electronic components. IXTQ200N06P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTQ200N06P, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
IXTQ200N06P 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IXTQ200N06P 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IXTQ200N06P
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IXTQ200N06P
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체IXYS
계열PolarHT™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C200A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs5m옴 @ 400A, 15V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs200nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds5400pF @ 25V
전력 - 최대714W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급 장치 패키지TO-3P
표준 포장 30
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)IXTQ200N06P
관련 링크IXTQ2, IXTQ200N06P Datasheet, IXYS Distributor
IXTQ200N06P 의 관련 제품
47µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1000 Hrs @ 105°C EEE-FC1V470P.pdf
0.22µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.225" L x 0.250" W(5.72mm x 6.35mm) LD14CC224KAB1A.pdf
SUPPRESSOR TCS DUAL 40V 750MA TCS-DL004-750-WH.pdf
TVS DIODE 408VWM 690.9VC AXIAL 1.5KE480C-B.pdf
CRYSTAL 24.000MHZ 10PF SMT 7A-24.000MAAQ-T.pdf
33.333MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 20mA Enable/Disable AC-33.333MBE-T.pdf
DIODE GEN PURP 400V 2A DO15 RL204TA.pdf
560nH Unshielded Inductor 795mA 200 mOhm Max 2-SMD 160R-561KS.pdf
RES SMD 105K OHM 0.5% 1/8W 0805 RT0805DRE07105KL.pdf
RES SMD 453 OHM 0.5% 1/10W 0603 RT0603DRD07453RL.pdf
RES SMD 100 OHM 5% 50W D2PAK NHS2B-100RJ8.pdf
RF Mixer IC Cellular, CDMA2000, EDGE, GPRS, GSM 196-CSPBGA (15x15) AD6634BBCZ.pdf