창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTQ26N50P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXT(Q,T,V)26N50P/PS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | PolarHV™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 230m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 65nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 400W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3P | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXTQ26N50P | |
관련 링크 | IXTQ2, IXTQ26N50P Datasheet, IXYS Distributor |
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![]() | CRGH2010F10K7 | RES SMD 10.7K OHM 1% 1W 2010 | CRGH2010F10K7.pdf | |
![]() | RT0805BRC0711R5L | RES SMD 11.5 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRC0711R5L.pdf | |
![]() | EXB-E10C273J | RES ARRAY 8 RES 27K OHM 1608 | EXB-E10C273J.pdf |