창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTQ60N20L2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXT(T,Q,H)60N20L2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | Linear L2™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 255nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 540W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3P | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXTQ60N20L2 | |
관련 링크 | IXTQ6, IXTQ60N20L2 Datasheet, IXYS Distributor |
0805ZC561KAT2A | 560pF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 0805ZC561KAT2A.pdf | ||
CS1206KKX7R9BB334 | 0.33µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CS1206KKX7R9BB334.pdf | ||
VJ1808A182JBBAT4X | 1800pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A182JBBAT4X.pdf | ||
7V30080004 | 30MHz ±30ppm 수정 8pF -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7V30080004.pdf | ||
MMXZ5234B-TP | DIODE ZENER 6.2V 200MW SOD323 | MMXZ5234B-TP.pdf | ||
1N5227C-TAP | DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 | 1N5227C-TAP.pdf | ||
MMSZ5234C-E3-08 | DIODE ZENER 6.2V 500MW SOD123 | MMSZ5234C-E3-08.pdf | ||
XTEAWT-00-0000-00000LEC3 | LED Lighting XLamp® XT-E White, Neutral 4300K 2.85V 350mA 115° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | XTEAWT-00-0000-00000LEC3.pdf | ||
15152C | 1.5µH Unshielded Wirewound Inductor 14.9A 3.48 mOhm Max Radial, Vertical Cylinder | 15152C.pdf | ||
RT1206FRD0722R1L | RES SMD 22.1 OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRD0722R1L.pdf | ||
ERJ-S08F5111V | RES SMD 5.11K OHM 1% 1/4W 1206 | ERJ-S08F5111V.pdf | ||
OL20G5E-R52 | RES 2 OHM 1/2W 5% AXIAL | OL20G5E-R52.pdf |