IXYS IXTT10N100D2

IXTT10N100D2
제조업체 부품 번호
IXTT10N100D2
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
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내부 부품 번호EIS-IXTT10N100D2
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IXTx10N100D2
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체IXYS
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징공핍 모드
드레인 - 소스 전압(Vdss)1000V(1kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C10A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.5옴 @ 5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs200nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds5320pF @ 25V
전력 - 최대695W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA
공급 장치 패키지TO-268
표준 포장 30
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IXTT10N100D2
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