창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTT3N200P3HV | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 면제 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXT(H,T)3N200P3HV | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 2000V(2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1860pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 520W | |
작동 온도 | * | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA | |
공급 장치 패키지 | TO-268 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXTT3N200P3HV | |
관련 링크 | IXTT3N, IXTT3N200P3HV Datasheet, IXYS Distributor |
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![]() | RMCP2010JT1K20 | RES SMD 1.2K OHM 5% 1W 2010 | RMCP2010JT1K20.pdf | |
![]() | AF164-FR-0736R5L | RES ARRAY 4 RES 36.5 OHM 1206 | AF164-FR-0736R5L.pdf | |
![]() | MRS25000C7329FC100 | RES 73.2 OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C7329FC100.pdf | |
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