IXYS IXTT6N120

IXTT6N120
제조업체 부품 번호
IXTT6N120
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
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내부 부품 번호EIS-IXTT6N120
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IXT(H,T)6N120
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체IXYS
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)1200V(1.2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C6A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.6옴 @ 3A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs56nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1950pF @ 25V
전력 - 최대300W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-268-3, D³Pak(2리드(lead)+탭), TO-268AA
공급 장치 패키지TO-268
표준 포장 30
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IXTT6N120
관련 링크IXTT, IXTT6N120 Datasheet, IXYS Distributor
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