창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXTY26P10T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IXT(Y,A,P)26P10T | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | TrenchP™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 90m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 52nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3820pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252 | |
표준 포장 | 70 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IXTY26P10T | |
관련 링크 | IXTY2, IXTY26P10T Datasheet, IXYS Distributor |
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![]() | IRFH4213DTRPBF | MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN | IRFH4213DTRPBF.pdf | |
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PF0560.252NL | 2.5µH Shielded Wirewound Inductor 6.1A 10.5 mOhm Max Nonstandard | PF0560.252NL.pdf | ||
![]() | 105-331J | 330nH Unshielded Inductor 620mA 250 mOhm Max 2-SMD | 105-331J.pdf | |
![]() | ERJ-P14J511U | RES SMD 510 OHM 5% 1/2W 1210 | ERJ-P14J511U.pdf | |
![]() | RT1206DRD0754R9L | RES SMD 54.9 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRD0754R9L.pdf | |
![]() | RT0805WRD0739K2L | RES SMD 39.2KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRD0739K2L.pdf | |
![]() | RN73C2A7R87BTG | RES SMD 7.87 OHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A7R87BTG.pdf | |
![]() | RG1608V-6190-P-T1 | RES SMD 619 OHM 0.02% 1/10W 0603 | RG1608V-6190-P-T1.pdf | |
![]() | CMF6015K000BER6 | RES 15K OHM 1W .1% AXIAL | CMF6015K000BER6.pdf | |
![]() | P51-2000-A-O-P-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-2000-A-O-P-4.5V-000-000.pdf |