창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-J112_D26Z | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | J111-13, MMBFJ111-13 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Transfer 14/Apr/2015 | |
PCN 포장 | TO92 Packing Updates 01/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 접합형 전계 효과(JFET) | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N채널 | |
전압 - 항복(V(BR)GSS) | 35V | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
전류 - 드레인(Idss) @ Vds(Vgs=0) | 5mA @ 15V | |
전류 드레인(Id) - 최대 | - | |
전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id | 1V @ 1µA | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
저항 - RDS(On) | 50옴 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA)(성형 리드(Lead)) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
전력 - 최대 | 625mW | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | J112_D26Z-ND J112_D26ZTR J112D26Z | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | J112_D26Z | |
관련 링크 | J112, J112_D26Z Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
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![]() | CKG57NX7R2J474M500JJ | 0.47µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 스택 SMD, 2 J리드(Lead) 0.236" L x 0.197" W(6.00mm x 5.00mm) | CKG57NX7R2J474M500JJ.pdf | |
![]() | 250R05L1R4AV4T | 1.4pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | 250R05L1R4AV4T.pdf | |
![]() | BFC236623683 | 0.068µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.394" L x 0.157" W (10.00mm x 4.00mm) | BFC236623683.pdf | |
![]() | TSX-3225 40.0000MF10Y-K0 | 40MHz ±10ppm 수정 10pF 40옴 -30°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | TSX-3225 40.0000MF10Y-K0.pdf | |
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![]() | CR43NP-3R3MC | 3.3µH Unshielded Wirewound Inductor 1.44A 86.2 mOhm Max Nonstandard | CR43NP-3R3MC.pdf | |
![]() | ERJ-PA3F4421V | RES SMD 4.42K OHM 1% 1/4W 0603 | ERJ-PA3F4421V.pdf | |
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