창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-JDP2S12CR(TE85L,Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | JDP2S12CR | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
다이오드 유형 | 핀 - 단일 | |
전압 - 피크 역(최대) | 180V | |
전류 - 최대 | 1A | |
정전 용량 @ Vr, F | 1.3pF @ 40V, 1MHz | |
저항 @ If, F | 700m옴 @ 10mA, 100MHz | |
내전력(최대) | - | |
패키지/케이스 | SOD-123F | |
공급 장치 패키지 | S-FLAT(1.6x3.5) | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | JDP2S12CR(TE85LQ)CT JDP2S12CR(TE85LQ)CT-ND JDP2S12CR(TE85LQCT JDP2S12CR(TE85LQMCT JDP2S12CR(TE85LQMCT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | JDP2S12CR(TE85L,Q | |
관련 링크 | JDP2S12C, JDP2S12CR(TE85L,Q Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
![]() | UMW0G221MDD1TE | 220µF 4V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | UMW0G221MDD1TE.pdf | |
![]() | VJ0603D121FLBAT | 120pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D121FLBAT.pdf | |
![]() | MC016D224KAR | 0.22µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 방사 0.098" L x 0.051" W(2.50mm x 1.30mm) | MC016D224KAR.pdf | |
![]() | 7010.7121.47 | FUSE 4 VERTI X 1500 LG85 | 7010.7121.47.pdf | |
![]() | V201DHB34 | VARISTOR 314V 40KA SQUARE 34MM | V201DHB34.pdf | |
![]() | TRR10EZPF2R20 | RES SMD 2.2 OHM 1% 1/8W 0805 | TRR10EZPF2R20.pdf | |
![]() | RT1210CRD0724K9L | RES SMD 24.9KOHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRD0724K9L.pdf | |
![]() | EXB-18V472JX | RES ARRAY 4 RES 4.7K OHM 0502 | EXB-18V472JX.pdf | |
![]() | YC324-FK-0733K2L | RES ARRAY 4 RES 33.2K OHM 2012 | YC324-FK-0733K2L.pdf | |
![]() | CMF55100R00DHEB | RES 100 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF55100R00DHEB.pdf | |
![]() | H817R4BDA | RES 17.4 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H817R4BDA.pdf | |
![]() | E39-R13 | REFLCTOR 7MMX7MM FOR E3C-L | E39-R13.pdf |