창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-JDV2S07FSTPL3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | JDV2S07FS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 - 단일 | |
전압 - 피크 역(최대) | 10V | |
전류 - 최대 | - | |
정전 용량 @ Vr, F | 4.9pF @ 1V, 1MHz | |
저항 @ If, F | - | |
내전력(최대) | - | |
패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | fSC | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | JDV2S07FS(TPL3) JDV2S07FSTPL3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | JDV2S07FSTPL3 | |
관련 링크 | JDV2S0, JDV2S07FSTPL3 Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
![]() | CC0805CRNPO9BN6R8 | 6.8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CC0805CRNPO9BN6R8.pdf | |
![]() | VJ0603D271FLAAT | 270pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D271FLAAT.pdf | |
![]() | ECK-A3F102MEH | 1000pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | ECK-A3F102MEH.pdf | |
![]() | C901U309CYNDAAWL45 | 3pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U309CYNDAAWL45.pdf | |
![]() | IXFH15N80Q | MOSFET N-CH 800V 15A TO-247AD | IXFH15N80Q.pdf | |
![]() | RE0603CRF071R21L | RES SMD 1.21OHM 0.25% 1/10W 0603 | RE0603CRF071R21L.pdf | |
![]() | CRCW020121R5FNED | RES SMD 21.5 OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW020121R5FNED.pdf | |
![]() | RCS0805442KFKEA | RES SMD 442K OHM 1% 0.4W 0805 | RCS0805442KFKEA.pdf | |
![]() | MRS25000C2431FRP00 | RES 2.43K OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C2431FRP00.pdf | |
![]() | SFR16S0001302FA500 | RES 13K OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR16S0001302FA500.pdf | |
RSMF1JB13K0 | RES MO 1W 13K OHM 5% AXIAL | RSMF1JB13K0.pdf | ||
![]() | CMF552K5000BEEA | RES 2.5K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF552K5000BEEA.pdf |