창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-JDV2S07FSTPL3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | JDV2S07FS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 다이오드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 - 단일 | |
전압 - 피크 역(최대) | 10V | |
전류 - 최대 | - | |
정전 용량 @ Vr, F | 4.9pF @ 1V, 1MHz | |
저항 @ If, F | - | |
내전력(최대) | - | |
패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | fSC | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | JDV2S07FS(TPL3) JDV2S07FSTPL3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | JDV2S07FSTPL3 | |
관련 링크 | JDV2S0, JDV2S07FSTPL3 Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
381LX223M010H452 | 22000µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | 381LX223M010H452.pdf | ||
SIT9001AIL13-33S5-6.78000Y | OSC XO 3.3V 6.78MHZ ST -1.0% | SIT9001AIL13-33S5-6.78000Y.pdf | ||
IXFH12N90P | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 | IXFH12N90P.pdf | ||
IRF1310NSTRRPBF | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK | IRF1310NSTRRPBF.pdf | ||
AIAC-2712C-43N5J-T | 43.5nH Unshielded Wirewound Inductor 2.5A 6.7 mOhm Max Nonstandard | AIAC-2712C-43N5J-T.pdf | ||
MLF1608A3R9KTA00 | 3.9µH Shielded Multilayer Inductor 30mA 1.45 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | MLF1608A3R9KTA00.pdf | ||
ERJ-P14J160U | RES SMD 16 OHM 5% 1/2W 1210 | ERJ-P14J160U.pdf | ||
CRCW25123R16FKEG | RES SMD 3.16 OHM 1% 1W 2512 | CRCW25123R16FKEG.pdf | ||
RG1608V-4121-P-T1 | RES SMD 4.12K OHM 1/10W 0603 | RG1608V-4121-P-T1.pdf | ||
Y16296K49000T9R | RES SMD 6.49K OHM 1/10W 0805 | Y16296K49000T9R.pdf | ||
4116R-2-152 | RES ARRAY 15 RES 1.5K OHM 16DIP | 4116R-2-152.pdf | ||
GXL-15HLUB-C5 | Inductive Proximity Sensor 0.157" (4mm) IP67 Module | GXL-15HLUB-C5.pdf |