창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-LLG2Z821MELZ35 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | LLG Series Snap-In Terminal, Terminal-Shape | |
제품 교육 모듈 | Snap-In Cap | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Nichicon | |
계열 | LLG | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 820µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 180V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 2.45A | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
크기/치수 | 0.866" Dia(22.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.457"(37.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
표준 포장 | 250 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | LLG2Z821MELZ35 | |
관련 링크 | LLG2Z82, LLG2Z821MELZ35 Datasheet, Nichicon Distributor |
E36D101LPN563TEM9M | 56000µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 2000 Hrs @ 85°C | E36D101LPN563TEM9M.pdf | ||
CX3225GB54000P0HPQCC | 54MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX3225GB54000P0HPQCC.pdf | ||
445W33F27M00000 | 27MHz ±30ppm 수정 24pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W33F27M00000.pdf | ||
SIT8208AI-83-33E-30.000000T | OSC XO 3.3V 30MHZ OE | SIT8208AI-83-33E-30.000000T.pdf | ||
FXO-HC736-33.968 | 33.968MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA Enable/Disable | FXO-HC736-33.968.pdf | ||
IMC1210ERR10K | 100nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 440 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210ERR10K.pdf | ||
1210-122F | 1.2µH Unshielded Inductor 497mA 750 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | 1210-122F.pdf | ||
TRR10EZPF2490 | RES SMD 249 OHM 1% 1/8W 0805 | TRR10EZPF2490.pdf | ||
CRCW120624K9FKEA | RES SMD 24.9K OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW120624K9FKEA.pdf | ||
ERA-1AEB6981C | RES SMD 6.98KOHM 0.1% 1/20W 0201 | ERA-1AEB6981C.pdf | ||
Y5076V0122BB0L | RES NTWRK 2 RES MULT OHM RADIAL | Y5076V0122BB0L.pdf | ||
Y00897K00000BM0L | RES 7K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y00897K00000BM0L.pdf |