Microchip Technology LND01K1-G

LND01K1-G
제조업체 부품 번호
LND01K1-G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 9V 330MA 5SOT-23
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내부 부품 번호EIS-LND01K1-G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서LND01
PCN 설계/사양Site Chg 13/Jan/2016
PCN 조립/원산지Fab Site Addition 14/Aug/2014
Fab Site Addition Update 07/Oct/2015
PCN 포장Label and Packing Changes 23/Sep/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Microchip Technology
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징공핍 모드
드레인 - 소스 전압(Vdss)9V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C330mA(Tj)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.4옴 @ 100mA, 0V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds46pF @ 5V
전력 - 최대360mW
작동 온도-25°C ~ 125°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-74A, SOT-753
공급 장치 패키지SOT-23-5
표준 포장 3,000
다른 이름LND01K1-G-ND
LND01K1-GTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)LND01K1-G
관련 링크LND0, LND01K1-G Datasheet, Microchip Technology Distributor
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