창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-LND150N3-G-P013 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | LND150 | |
PCN 조립/원산지 | Fab Site Addition 14/Aug/2014 Fab Site Addition Rev 16/Oct/2015 Assembly Site Qualification 08/Jun/2016 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 공핍 모드 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1000옴 @ 500µA, 0V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 740mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | LND150N3-G-P013 | |
관련 링크 | LND150N, LND150N3-G-P013 Datasheet, Microchip Technology Distributor |
UKA1H101MPD1TD | 100µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UKA1H101MPD1TD.pdf | ||
ECJ-0EB1C823K | 0.082µF 16V 세라믹 커패시터 X5R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | ECJ-0EB1C823K.pdf | ||
12101A102JAT2A | 1000pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 12101A102JAT2A.pdf | ||
ESDALC6V1-1BM2 | TVS DIODE 3VWM SOD882 | ESDALC6V1-1BM2.pdf | ||
FA-128 37.4000MF10Y-C5 | 37.4MHz ±10ppm 수정 18pF 60옴 -30°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-128 37.4000MF10Y-C5.pdf | ||
SIT3808AC-C-25EZ | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 33mA Enable/Disable | SIT3808AC-C-25EZ.pdf | ||
SS2FL3HM3/H | DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO-219AB | SS2FL3HM3/H.pdf | ||
HI1206N800R-00 | 80 Ohm Impedance Ferrite Bead 1206 (3216 Metric) Surface Mount 3A 1 Lines 35 mOhm Max DCR -40°C ~ 125°C | HI1206N800R-00.pdf | ||
IMC1812BNR33K | 330nH Unshielded Wirewound Inductor 430mA 550 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812BNR33K.pdf | ||
AT1206DRE07196KL | RES SMD 196K OHM 0.5% 1/4W 1206 | AT1206DRE07196KL.pdf | ||
PAT0805E1073BST1 | RES SMD 107K OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E1073BST1.pdf | ||
RSF2JT9K10 | RES MO 2W 9.1K OHM 5% AXIAL | RSF2JT9K10.pdf |