창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-LND150N3-G-P014 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | LND150 | |
PCN 조립/원산지 | Fab Site Addition 14/Aug/2014 Fab Site Addition Rev 16/Oct/2015 Assembly Site Qualification 08/Jun/2016 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 공핍 모드 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1000옴 @ 500µA, 0V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 740mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | LND150N3-G-P014 | |
관련 링크 | LND150N, LND150N3-G-P014 Datasheet, Microchip Technology Distributor |
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![]() | VJ0603D200FLBAJ | 20pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D200FLBAJ.pdf | |
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![]() | 416F36012ATT | 36MHz ±10ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36012ATT.pdf | |
![]() | SIT1602AI-12-33E-30.000000D | OSC XO 3.3V 30MHZ OE | SIT1602AI-12-33E-30.000000D.pdf | |
![]() | SMBG5379AE3/TR13 | DIODE ZENER 110V 5W SMBG | SMBG5379AE3/TR13.pdf | |
![]() | CLS4D18-100NC | 10µH Unshielded Inductor 1.2A 310 mOhm Max Nonstandard | CLS4D18-100NC.pdf | |
![]() | RG2012P-3483-B-T5 | RES SMD 348K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012P-3483-B-T5.pdf | |
![]() | TNPW121034K0BEEN | RES SMD 34K OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW121034K0BEEN.pdf | |
![]() | RCS060368R1FKEA | RES SMD 68.1 OHM 1% 1/4W 0603 | RCS060368R1FKEA.pdf | |
![]() | ITR8307/F43 | OPTO INTERRUPTER | ITR8307/F43.pdf |