Murata Electronics North America LQW2BHN56NG03L
- 제조업체 부품 번호
- LQW2BHN56NG03L
- 제조업 자
- Murata Electronics North America
- 제품 카테고리
- 고정 인덕터
- 간단한 설명
- 56nH Unshielded Wirewound Inductor 430mA 260 mOhm Max 0805 (2012 Metric)
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
LQW2BHN56NG03L 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 198.01061
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of LQW2BHN56NG03L, we specialize in all series Murata Electronics North America electronic components. LQW2BHN56NG03L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for LQW2BHN56NG03L, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- LQW2BHN56NG03L 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
LQW2BHN56NG03L 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-LQW2BHN56NG03L | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | Chip Inductors Catalog | |
| 제품 교육 모듈 | Chip RF Inductors | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | Murata Electronics North America | |
| 계열 | LQW2BHN_03 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | 권선 | |
| 소재 - 코어 | 비 자석성 | |
| 유도 용량 | 56nH | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 정격 전류 | 430mA | |
| 전류 - 포화 | - | |
| 차폐 | 비차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 260m옴최대 | |
| Q @ 주파수 | 40 @ 200MHz | |
| 주파수 - 자기 공진 | 1.5GHz | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 주파수 - 테스트 | 100MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.059" W(2.00mm x 1.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.070"(1.78mm) | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | 490-11786-2 LQW2BHN56NG03L-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | LQW2BHN56NG03L | |
| 관련 링크 | LQW2BHN, LQW2BHN56NG03L Datasheet, Murata Electronics North America Distributor | |
LQW2BHN56NG03L 의 관련 제품
 | B43866C2156M | 15µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 125°C | B43866C2156M.pdf | |
 | SM5S13AHE3/2D | TVS DIODE 13VWM 21.5VC DO218AB | SM5S13AHE3/2D.pdf | |
 | 416F50012ITR | 50MHz ±10ppm 수정 6pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50012ITR.pdf | |
 | DFLS2100Q-7 | DIODE SCHOTTKY 100V POWERDI123 | DFLS2100Q-7.pdf | |
 | IRLR8726TRLPBF | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | IRLR8726TRLPBF.pdf | |
 | MCR10EZPF4703 | RES SMD 470K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZPF4703.pdf | |
 | ERJ-S06F3241V | RES SMD 3.24K OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-S06F3241V.pdf | |
 | PAT1206E2742BST1 | RES SMD 27.4K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PAT1206E2742BST1.pdf | |
 | RG1005V-301-P-T1 | RES SMD 300 OHM 0.02% 1/16W 0402 | RG1005V-301-P-T1.pdf | |
.jpg) | TNPW25124K12BEEY | RES SMD 4.12K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW25124K12BEEY.pdf | |
 | RNF14FTD1R91 | RES 1.91 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTD1R91.pdf | |
 | NA1-11-PN | SENSOR 0.17-1M PNP 12-24VDC | NA1-11-PN.pdf |
