창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MAL211890003E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | 118 AHT (MAL2118) Series | |
PCN 설계/사양 | Removal of SHVC Substances 17/Nov 2015 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Vishay BC Components | |
계열 | 118 AHT | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 47µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 200V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 1.48옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 8000시간(125°C) | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 자동차 | |
리플 전류 | 390mA @ 100Hz | |
임피던스 | 600m옴 | |
리드 간격 | - | |
크기/치수 | 0.709" Dia(18.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.299"(33.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 방사상, 캔 - 스냅인 - 3 리드 | |
표준 포장 | 240 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MAL211890003E3 | |
관련 링크 | MAL2118, MAL211890003E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
1812PC334KAT1A | 0.33µF 250V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812PC334KAT1A.pdf | ||
BFC238324363 | 0.036µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | BFC238324363.pdf | ||
T95V225K025LZAL | 2.2µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 25V 1410 (3727 Metric) 2 Ohm 0.143" L x 0.104" W (3.63mm x 2.65mm) | T95V225K025LZAL.pdf | ||
SDUR3060W | DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC | SDUR3060W.pdf | ||
MUR2510R | DIODE GEN PURP REV 100V 25A DO4 | MUR2510R.pdf | ||
CZT5551 TR | TRANS NPN 180V 0.6A SOT223 | CZT5551 TR.pdf | ||
DC630R-104K | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 3.21A 95 mOhm Max Radial | DC630R-104K.pdf | ||
RV0805JR-072M2L | RES SMD 2.2M OHM 5% 1/8W 0805 | RV0805JR-072M2L.pdf | ||
R3J330 | RES 330 OHM 3W 5% RADIAL | R3J330.pdf | ||
CC1100ERGPR | IC RF TxRx Only General ISM < 1GHz 470MHz ~ 510MHz, 950MHz ~ 960MHz 20-VFQFN Exposed Pad | CC1100ERGPR.pdf | ||
HAL320SF-A | IC HALL EFFECT SENSOR DIFF SOT89 | HAL320SF-A.pdf | ||
OPL531-OC | SENSOR PHOTOLOGIC CMOS SIDE LOOK | OPL531-OC.pdf |