창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR12045CTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MBR12045CT thru MBR120100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키, 역극성 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 45V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 120A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 650mV @ 60A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 20V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | 1242-1068 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MBR12045CTR | |
관련 링크 | MBR12, MBR12045CTR Datasheet, GeneSiC Semiconductor Distributor |
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DF2B36FU,H3F | TVS DIODE 28VWM 40VC USC | DF2B36FU,H3F.pdf | ||
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SQZW103R9J | RES 3.9 OHM 10W 5% RADIAL | SQZW103R9J.pdf | ||
ATSAMR21E17A-MUT | IC RF TxRx + MCU General ISM > 1GHZ 2.4GHz 32-VFQFN Exposed Pad | ATSAMR21E17A-MUT.pdf |