창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR140SFT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MBR140SFTxG, NRVB140SFTxG | |
PCN 설계/사양 | SOD123-FL Package Height 13/Sep/2013 Mold Compound/Lead Frame Chg 21/Jul/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 40V | |
전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 550mV @ 1A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500µA @ 40V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123F | |
공급 장치 패키지 | SOD-123FL | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 125°C | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | MBR140SFT3G-ND MBR140SFT3GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MBR140SFT3G | |
관련 링크 | MBR14, MBR140SFT3G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
VJ0603D3R0DXAAC | 3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D3R0DXAAC.pdf | ||
VJ1825A122KBBAT4X | 1200pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825A122KBBAT4X.pdf | ||
ECC-A3J180JGE | 18pF 6000V(6kV) 세라믹 커패시터 SL/GP 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | ECC-A3J180JGE.pdf | ||
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TSUS5402 | Infrared (IR) Emitter 950nm 2.2V 150mA 15mW/sr @ 100mA 44° Radial | TSUS5402.pdf | ||
ERA-8AEB8872V | RES SMD 88.7K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB8872V.pdf | ||
CRGH2512F28K7 | RES SMD 28.7K OHM 1% 2W 2512 | CRGH2512F28K7.pdf | ||
CRCW0201280RFNED | RES SMD 280 OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW0201280RFNED.pdf | ||
B5J1K6 | RES 1.6K OHM 5.25W 5% AXIAL | B5J1K6.pdf | ||
26PCFNH6D | Pressure Sensor ±100 PSI (±689.48 kPa) Differential Male - M5 0 mV ~ 100 mV (10V) 4-SIP Module | 26PCFNH6D.pdf |