창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR200100CT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MBR20045CT ~ 200100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 100A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MBR200100CTGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MBR200100CT | |
관련 링크 | MBR20, MBR200100CT Datasheet, GeneSiC Semiconductor Distributor |
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![]() | CX2016DB20000D0GPSC1 | 20MHz ±15ppm 수정 8pF 150옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX2016DB20000D0GPSC1.pdf | |
![]() | 416F370X3ITT | 37MHz ±15ppm 수정 6pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F370X3ITT.pdf | |
![]() | MMSZ16T1G | DIODE ZENER 16V 500MW SOD123 | MMSZ16T1G.pdf | |
![]() | FCX593TA | TRANS PNP 100V 1A SOT-89 | FCX593TA.pdf | |
![]() | MP8-1D-1E-1E-1L-1L-4LL-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP8-1D-1E-1E-1L-1L-4LL-00.pdf | |
![]() | HF1008R-151G | 150nH Unshielded Inductor 395mA 950 mOhm Max Nonstandard | HF1008R-151G.pdf | |
![]() | ERJ-S12J684U | RES SMD 680K OHM 5% 3/4W 1812 | ERJ-S12J684U.pdf | |
![]() | RT1210CRE07453RL | RES SMD 453 OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRE07453RL.pdf | |
![]() | CRCW0402118KFKEDHP | RES SMD 118K OHM 1% 1/5W 0402 | CRCW0402118KFKEDHP.pdf |