창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR200100CT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MBR20045CT ~ 200100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 100A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5mA @ 20V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MBR200100CTGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MBR200100CT | |
관련 링크 | MBR20, MBR200100CT Datasheet, GeneSiC Semiconductor Distributor |
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![]() | VJ0402D680JXXAC | 68pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D680JXXAC.pdf | |
![]() | ERB1885C2E1R2BDX1D | 1.2pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | ERB1885C2E1R2BDX1D.pdf | |
![]() | 593D156X9004A2TE3 | 15µF Molded Tantalum Capacitors 4V 1206 (3216 Metric) 1.5 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | 593D156X9004A2TE3.pdf | |
![]() | SL1411A090SM | GDT 90V 10KA SURFACE MOUNT | SL1411A090SM.pdf | |
VG121065P131DP | VARISTOR 47V 350A 1210 | VG121065P131DP.pdf | ||
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![]() | RG1608N-2672-D-T5 | RES SMD 26.7KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608N-2672-D-T5.pdf | |
![]() | CRGH2512F147K | RES SMD 147K OHM 1% 2W 2512 | CRGH2512F147K.pdf | |
![]() | RN73C2A54K9BTG | RES SMD 54.9KOHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A54K9BTG.pdf | |
![]() | RCP2512B100RJED | RES SMD 100 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512B100RJED.pdf |