창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR20H150CT-E3/45 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MBR(F)20H150CT, SB20H150CT-1 Packaging Information | |
비디오 파일 | Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor | |
PCN 조립/원산지 | DD-19-2014 Rev 0 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1652 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 150V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 10A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 150V | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | MBR20H150CT-E3/45GI MBR20H150CTE345 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MBR20H150CT-E3/45 | |
관련 링크 | MBR20H15, MBR20H150CT-E3/45 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | 416F30023CKR | 30MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30023CKR.pdf | |
![]() | ZXM62P02E6TA | MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6 | ZXM62P02E6TA.pdf | |
![]() | IPD040N03LGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 | IPD040N03LGATMA1.pdf | |
![]() | IFSC1111AZER470M01 | 47µH Shielded Inductor 350mA 2.05 Ohm Max Nonstandard | IFSC1111AZER470M01.pdf | |
![]() | SC4020FH-680 | 68µH Unshielded Wirewound Inductor 1.9A 185 mOhm Max Nonstandard | SC4020FH-680.pdf | |
![]() | RR0510R-10R7-D | RES SMD 10.7 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RR0510R-10R7-D.pdf | |
![]() | PWR1913WR027JE | RES SMD 0.027 OHM 5% 1/2W 1913 | PWR1913WR027JE.pdf | |
![]() | RG1608V-5900-W-T1 | RES SMD 590 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608V-5900-W-T1.pdf | |
RSMF2JTR620 | RES MO 2W .62 OHM 5% AXIAL | RSMF2JTR620.pdf | ||
![]() | UM030Z1009JE | RES 100G OHM 1W 5% RADIAL | UM030Z1009JE.pdf |