창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR3535R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MBR3520~3540R DO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키, 역극성 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 35V | |
전류 -평균 정류(Io) | 35A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 680mV @ 35A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1.5mA @ 20V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 섀시, 스터드 실장 | |
패키지/케이스 | DO-203AA, DO-4, 스터드 | |
공급 장치 패키지 | DO-4 | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 100 | |
다른 이름 | MBR3535RGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MBR3535R | |
관련 링크 | MBR3, MBR3535R Datasheet, GeneSiC Semiconductor Distributor |
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![]() | C0402C823M9RACTU | 0.082µF 6.3V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C823M9RACTU.pdf | |
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![]() | MKT1822522015V | 2.2µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 1.043" L x 0.335" W (26.50mm x 8.50mm) | MKT1822522015V.pdf | |
![]() | BP/T-12 | FUSE EDISON PLUG 12A 125VAC | BP/T-12.pdf | |
VG121060J121DP | VARISTOR 76V 250A 1210 | VG121060J121DP.pdf | ||
![]() | SIT8008BC-32-18E-68.695000Y | OSC XO 1.8V 68.695MHZ OE | SIT8008BC-32-18E-68.695000Y.pdf | |
![]() | SG-615P 16.2570MC0:ROHS | 16.257MHz CMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 5V 23mA Enable/Disable | SG-615P 16.2570MC0:ROHS.pdf | |
![]() | 1PMT5939B/TR13 | DIODE ZENER 39V 3W DO216AA | 1PMT5939B/TR13.pdf | |
![]() | 2510R-36F | 3.3µH Unshielded Inductor 187mA 1.35 Ohm Max 2-SMD | 2510R-36F.pdf | |
![]() | CRCW2010560RFKEFHP | RES SMD 560 OHM 1% 1W 2010 | CRCW2010560RFKEFHP.pdf | |
![]() | E2B-M18KS08-WP-C1 2M | Inductive Proximity Sensor 0.315" (8mm) IP67 Cylinder, Threaded - M18 | E2B-M18KS08-WP-C1 2M.pdf |