창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR600100CTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MBR60045CT ~ 600100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 600A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 880mV @ 300A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MBR600100CTRGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MBR600100CTR | |
관련 링크 | MBR600, MBR600100CTR Datasheet, GeneSiC Semiconductor Distributor |
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![]() | 416F27135IDT | 27.12MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27135IDT.pdf | |
![]() | MP6-1T-1T-4QE-4NN-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP6-1T-1T-4QE-4NN-00.pdf | |
![]() | RT0805FRE0718KL | RES SMD 18K OHM 1% 1/8W 0805 | RT0805FRE0718KL.pdf | |
![]() | CRCW2512619RFKTG | RES SMD 619 OHM 1% 1W 2512 | CRCW2512619RFKTG.pdf | |
![]() | PTN1206E4273BST1 | RES SMD 427K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E4273BST1.pdf | |
![]() | SOMC1405141AGEA | RES NTWRK 24 RES 270 OHM 14SOIC | SOMC1405141AGEA.pdf | |
![]() | WHB4R0FE | RES 4 OHM 1W 1% AXIAL | WHB4R0FE.pdf | |
![]() | ADUM1286WBRZ | General Purpose Digital Isolator 3000Vrms 2 Channel 25Mbps 25kV/µs CMTI 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | ADUM1286WBRZ.pdf |