GeneSiC Semiconductor MBR600200CT
- 제조업체 부품 번호
- MBR600200CT
- 제조업 자
- GeneSiC Semiconductor
- 제품 카테고리
- 다이오드, 정류기 - 어레이
- 간단한 설명
- DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
MBR600200CT 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 93,286.72000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of MBR600200CT, we specialize in all series GeneSiC Semiconductor electronic components. MBR600200CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR600200CT, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- MBR600200CT 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
MBR600200CT 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR600200CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | MBR600150CT thru MBR600200CTR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 300A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 920mV @ 300A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 200V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | MBR600200CT | |
| 관련 링크 | MBR60, MBR600200CT Datasheet, GeneSiC Semiconductor Distributor | |
MBR600200CT 의 관련 제품
 | ECE-A1HKA2R2B | 2.2µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | ECE-A1HKA2R2B.pdf | |
 | VJ0603D8R2BLPAJ | 8.2pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D8R2BLPAJ.pdf | |
| 402F480XXCDT | 48MHz ±15ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F480XXCDT.pdf | |
 | 416F36013AST | 36MHz ±10ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36013AST.pdf | |
 | MMSZ5231C-G3-18 | DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123 | MMSZ5231C-G3-18.pdf | |
 | AISC-1206-R15J-T | 150nH Unshielded Wirewound Inductor 750mA 310 mOhm Max Nonstandard | AISC-1206-R15J-T.pdf | |
| 1641-331J | 330nH Shielded Molded Inductor 800mA 130 mOhm Max Axial | 1641-331J.pdf | |
.jpg) | RT0805FRD07768RL | RES SMD 768 OHM 1% 1/8W 0805 | RT0805FRD07768RL.pdf | |
 | CRCW2512187KFKTG | RES SMD 187K OHM 1% 1W 2512 | CRCW2512187KFKTG.pdf | |
| RT0805WRE0759KL | RES SMD 59K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRE0759KL.pdf | |
 | RP73D2A549KBTG | RES SMD 549K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A549KBTG.pdf | |
| Y0021511K000B0L | RES 511K OHM 0.4W 0.1% RADIAL | Y0021511K000B0L.pdf |
