GeneSiC Semiconductor MBR600200CTR
- 제조업체 부품 번호
- MBR600200CTR
- 제조업 자
- GeneSiC Semiconductor
- 제품 카테고리
- 다이오드, 정류기 - 어레이
- 간단한 설명
- DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
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MBR600200CTR 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-MBR600200CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | MBR600150CT thru MBR600200CTR | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 300A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 920mV @ 300A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 200V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | MBR600200CTR | |
| 관련 링크 | MBR600, MBR600200CTR Datasheet, GeneSiC Semiconductor Distributor | |
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