창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR60080CTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MBR60045CT ~ 600100CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 600A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 880mV @ 300A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1mA @ 20V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MBR60080CTRGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MBR60080CTR | |
관련 링크 | MBR60, MBR60080CTR Datasheet, GeneSiC Semiconductor Distributor |
![]() | FLSR006.TXID | FUSE CARTRIDGE 6A 600VAC/300VDC | FLSR006.TXID.pdf | |
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![]() | LQW18AN23NJ80D | 23nH Unshielded Wirewound Inductor 1.3A 86 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQW18AN23NJ80D.pdf | |
![]() | SP1812-393K | 39µH Shielded Inductor 354mA 1.6 Ohm Max Nonstandard | SP1812-393K.pdf | |
![]() | AR0805FR-073K24L | RES SMD 3.24K OHM 1% 1/8W 0805 | AR0805FR-073K24L.pdf | |
![]() | HHM1515B2 | RF Balun 880MHz ~ 960MHz 50 / 200 Ohm 0805 (2012 Metric), 6 PC Pad | HHM1515B2.pdf |