창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBR860MFST3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MBR860MFS, NRVB860MFS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
전류 -평균 정류(Io) | 8A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 800mV @ 8A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 150µA @ 60V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-PowerTDFN, 5 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 175°C | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MBR860MFST3G | |
관련 링크 | MBR860, MBR860MFST3G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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![]() | 10HV24B104K | 0.10µF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.570" L x 0.271" W(14.48mm x 6.89mm) | 10HV24B104K.pdf | |
![]() | F310E476MAA | 47µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 2.5V 1206 (3216 Metric) 150 mOhm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | F310E476MAA.pdf | |
![]() | T495U157K004ZTE200 | 150µF Molded Tantalum Capacitors 4V 1411 (3528 Metric) 200 mOhm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | T495U157K004ZTE200.pdf | |
![]() | RUM002N02T2L | MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3 | RUM002N02T2L.pdf | |
![]() | B82496C3129A | 1.2nH Unshielded Wirewound Inductor 1.8A 25 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | B82496C3129A.pdf | |
![]() | RT1206DRE07806KL | RES SMD 806K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE07806KL.pdf | |
![]() | HVCB0603FKC10M0 | RES SMD 10M OHM 1% 0.06W 0603 | HVCB0603FKC10M0.pdf | |
![]() | RT1206DRE0723R7L | RES SMD 23.7 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE0723R7L.pdf | |
![]() | RG3216N-1000-B-T5 | RES SMD 100 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216N-1000-B-T5.pdf | |
![]() | RSF2JA68K0 | RES MO 2W 68K OHM 5% AXIAL | RSF2JA68K0.pdf |