창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBRM2H100T3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MBRM2H100T3G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
전류 -평균 정류(Io) | 2A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 840mV @ 2A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 100V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-216AA | |
공급 장치 패키지 | Powermite | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
표준 포장 | 12,000 | |
다른 이름 | MBRM2H100T3G-ND MBRM2H100T3GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MBRM2H100T3G | |
관련 링크 | MBRM2H, MBRM2H100T3G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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![]() | 445W23H20M00000 | 20MHz ±20ppm 수정 32pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W23H20M00000.pdf | |
![]() | C782LE | THYRISTOR DISC 2500V 2300A TBK | C782LE.pdf | |
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![]() | 6VN1 | FILTER RFI HI PERFORMANCE 6A | 6VN1.pdf | |
![]() | ISC1812EBR56K | 560nH Shielded Wirewound Inductor 306mA 750 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812EBR56K.pdf | |
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![]() | RT2010DKE074K22L | RES SMD 4.22K OHM 0.5% 1/2W 2010 | RT2010DKE074K22L.pdf |