창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MBRT40035RL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MBRT40035(R)L | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 35V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 600mV @ 200A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3mA @ 35V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 3 타워형 | |
공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
표준 포장 | 25 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MBRT40035RL | |
관련 링크 | MBRT4, MBRT40035RL Datasheet, GeneSiC Semiconductor Distributor |
![]() | RHE5G1H391J1K1A03B | 390pF 50V 세라믹 커패시터 X8G 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | RHE5G1H391J1K1A03B.pdf | |
![]() | VJ0603D180GLXAP | 18pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D180GLXAP.pdf | |
V07E11P | VARISTOR 18V 1KA DISC 7MM | V07E11P.pdf | ||
CX5Z-A2B2C5-40-10.0D18 | 10MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX5Z-A2B2C5-40-10.0D18.pdf | ||
![]() | SCAJ2 | BRIDGE RECT 2A 200V | SCAJ2.pdf | |
![]() | FP1007R3-R30-R | 300nH Unshielded Wirewound Inductor 61A 0.29 mOhm Nonstandard | FP1007R3-R30-R.pdf | |
![]() | TE200B1R8J | RES CHAS MNT 1.8 OHM 5% 200W | TE200B1R8J.pdf | |
![]() | RT0805WRE0790R9L | RES SMD 90.9 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRE0790R9L.pdf | |
![]() | HRG3216P-8871-D-T1 | RES SMD 8.87K OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-8871-D-T1.pdf | |
![]() | TNPW2010261RBETF | RES SMD 261 OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010261RBETF.pdf | |
![]() | CRA06P08322K0JTA | RES ARRAY 4 RES 22K OHM 1206 | CRA06P08322K0JTA.pdf | |
![]() | MS4800S-30-1240-15X-15R-RMX | SAFETY LIGHT CURTAIN | MS4800S-30-1240-15X-15R-RMX.pdf |