Rohm Semiconductor MCR01MRTF9100
- 제조업체 부품 번호
- MCR01MRTF9100
- 제조업 자
- Rohm Semiconductor
- 제품 카테고리
- 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT)
- 간단한 설명
- RES SMD 910 OHM 1% 1/16W 0402
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
MCR01MRTF9100 가격 및 조달
가능 수량
21150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2.88173
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of MCR01MRTF9100, we specialize in all series Rohm Semiconductor electronic components. MCR01MRTF9100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MCR01MRTF9100, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- MCR01MRTF9100 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
MCR01MRTF9100 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-MCR01MRTF9100 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | MCR01 MRT Series Spec MCR Series, General Purpose | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | MCR | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 910 | |
| 허용 오차 | ±1% | |
| 전력(와트) | 0.063W, 1/16W | |
| 구성 | 후막 | |
| 특징 | - | |
| 온도 계수 | ±100ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 0402 | |
| 크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
| 높이 | 0.016"(0.40mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | RHM910CDTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | MCR01MRTF9100 | |
| 관련 링크 | MCR01M, MCR01MRTF9100 Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor | |
MCR01MRTF9100 의 관련 제품
-Kemet.jpg) | C1206C103J4RACTU | 10000pF 16V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C103J4RACTU.pdf | |
 | C0603C182F3GACTU | 1800pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C182F3GACTU.pdf | |
 | RPE5C1H181J2P1A03B | 180pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.098" W(5.00mm x 2.50mm) | RPE5C1H181J2P1A03B.pdf | |
 | LP081F35IET | 8.192MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP081F35IET.pdf | |
| SIT9003AI-23-33DB-16.00000Y | OSC XO 3.3V 16MHZ SD 0.25% | SIT9003AI-23-33DB-16.00000Y.pdf | |
 | MTM763200LBF | MOSFET N/P-CH 20V WSMINI6-F1 | MTM763200LBF.pdf | |
 | NS12565T7R0NN | 7µH Shielded Wirewound Inductor 5.21A 19.44 mOhm Max Nonstandard | NS12565T7R0NN.pdf | |
 | SRN8040TA-3R3Y | 3.3µH Unshielded Wirewound Inductor 6.6A 15 mOhm | SRN8040TA-3R3Y.pdf | |
 | ERJ-1GNF6193C | RES SMD 619K OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GNF6193C.pdf | |
 | RG1608P-2430-D-T5 | RES SMD 243 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608P-2430-D-T5.pdf | |
 | CMF50127R00FKR6 | RES 127 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50127R00FKR6.pdf | |
| Y14535K10000F9L | RES 5.1K OHM 0.6W 1% RADIAL | Y14535K10000F9L.pdf |
