창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MCR10ERTF1021 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MCR Series, General Purpose | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | MCR | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 1.02k | |
허용 오차 | ±1% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 후막 | |
특징 | - | |
온도 계수 | ±100ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.024"(0.60mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | RHM1.02KCHTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MCR10ERTF1021 | |
관련 링크 | MCR10E, MCR10ERTF1021 Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor |
GRM0225C1E8R6BDAEL | 8.6pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GRM0225C1E8R6BDAEL.pdf | ||
F331K29Y5RP6XT7RX1 | 330pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 Y5R 방사형, 디스크 0.295" Dia(7.50mm) | F331K29Y5RP6XT7RX1.pdf | ||
VJ2220A183JBBAT4X | 0.018µF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220A183JBBAT4X.pdf | ||
BFC238552243 | 0.024µF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.335" W (17.50mm x 8.50mm) | BFC238552243.pdf | ||
NOJW107M002RWJ | 100µF Niobium Oxide Capacitor 2.5V 2312 (6032 Metric) 400 mOhm ESR | NOJW107M002RWJ.pdf | ||
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CVCO55BE-2400-2650 | Center Frequency 2525MHz Voltage Controlled Oscillator 0.5 ~ 8 V 5 ±4 dBm -22 dBc | CVCO55BE-2400-2650.pdf | ||
DRC5114T0L | TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3 | DRC5114T0L.pdf | ||
NTMS4807NR2G | MOSFET N-CH 30V 9.1A 8-SOIC | NTMS4807NR2G.pdf | ||
RN73C1J576RBTG | RES SMD 576 OHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J576RBTG.pdf | ||
CMF6013K300BHR670 | RES 13.3K OHM 1W .1% AXIAL | CMF6013K300BHR670.pdf |