창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MCR10ERTF4702 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MCR Series, General Purpose | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | MCR | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 47k | |
허용 오차 | ±1% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 후막 | |
특징 | - | |
온도 계수 | ±100ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.024"(0.60mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | RHM47.0KCHTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MCR10ERTF4702 | |
관련 링크 | MCR10E, MCR10ERTF4702 Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor |
![]() | CC0402KRX7R9BB271 | 270pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CC0402KRX7R9BB271.pdf | |
![]() | VJ1206A180JBCAT4X | 18pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A180JBCAT4X.pdf | |
![]() | 06033A4R3JAT2A | 4.3pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06033A4R3JAT2A.pdf | |
![]() | BB020016VZ20036AC1 | 20pF 7500V(7.5kV) 세라믹 커패시터 | BB020016VZ20036AC1.pdf | |
![]() | ECJ-2VB1C124K | 0.12µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | ECJ-2VB1C124K.pdf | |
![]() | T95Y685K025CSSL | 6.8µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 25V 2910 (7227 Metric) 1 Ohm 0.285" L x 0.104" W (7.24mm x 2.65mm) | T95Y685K025CSSL.pdf | |
![]() | 3422.0046.11 | FUSE BRD MNT 750MA 63VAC/VDC SMD | 3422.0046.11.pdf | |
![]() | BZM55C47-TR3 | DIODE ZENER 500MW MICROMELF | BZM55C47-TR3.pdf | |
![]() | IRF4104PBF | MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB | IRF4104PBF.pdf | |
![]() | ALD910023SAL | MOSFET DUAL SAB 2.3V 8SOIC | ALD910023SAL.pdf | |
![]() | MFR-25FRF52-1K21 | RES 1.21K OHM 1/4W 1% AXIAL | MFR-25FRF52-1K21.pdf | |
![]() | E-TA2012 T 10DB N3 | RF Attenuator 10dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 10DB N3.pdf |