창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MCR10EZHJ183 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MCR10 (2012 Size, 1/8W) | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2224 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | MCR | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 18k | |
허용 오차 | ±5% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 후막 | |
특징 | - | |
온도 계수 | ±200ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.024"(0.60mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | RHM18KATR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MCR10EZHJ183 | |
관련 링크 | MCR10E, MCR10EZHJ183 Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor |
![]() | NX3225GA-12MHZ- STD-CRG-1 | 12MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | NX3225GA-12MHZ- STD-CRG-1.pdf | |
![]() | CSTCR6M00G55B-R0 | 6MHz Ceramic Resonator Built in Capacitor 39pF ±0.15% -40°C ~ 125°C Surface Mount | CSTCR6M00G55B-R0.pdf | |
![]() | CDBZ310200-HF | DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO277 | CDBZ310200-HF.pdf | |
![]() | PM0805-56NK-RC | 56nH Unshielded Wirewound Inductor 500mA 250 mOhm 0805 (2012 Metric) | PM0805-56NK-RC.pdf | |
![]() | 105R-392H | 3.9µH Unshielded Inductor 185mA 2.8 Ohm Max 2-SMD | 105R-392H.pdf | |
![]() | WSC452710R00FEA | RES SMD 10 OHM 1% 2W 4527 | WSC452710R00FEA.pdf | |
![]() | CRCW20105R76FKEF | RES SMD 5.76 OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW20105R76FKEF.pdf | |
![]() | RCL12181K80JNEK | RES SMD 1.8K OHM 1W 1812 WIDE | RCL12181K80JNEK.pdf | |
![]() | RP73D1J38K3BTG | RES SMD 38.3KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RP73D1J38K3BTG.pdf | |
![]() | 4308R-101-682 | RES ARRAY 7 RES 6.8K OHM 8SIP | 4308R-101-682.pdf | |
![]() | CMF7010M000FKR6 | RES 10M OHM 1.75W 1% AXIAL | CMF7010M000FKR6.pdf | |
![]() | Y007563R4000F0L | RES 63.4 OHM 0.3W 1% RADIAL | Y007563R4000F0L.pdf |