Microsemi Corporation MDS1100

MDS1100
제조업체 부품 번호
MDS1100
제조업 자
제품 카테고리
RF 트랜지스터(BJT)
간단한 설명
TRANS RF BIPO 8750W 100A 55TU1
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MDS1100 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MDS1100
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서MDS1100
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF 트랜지스터(BJT)
제조업체Microsemi Corporation
계열-
포장벌크
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)65V
주파수 - 트랜지션1.03GHz
잡음 지수(dB 통상 @ f)-
이득8.9dB
전력 - 최대8750W
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce20 @ 5A, 5V
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100A
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스55TU-1
공급 장치 패키지55TU-1
표준 포장 1
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)MDS1100
관련 링크MDS, MDS1100 Datasheet, Microsemi Corporation Distributor
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