홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » MJ11012G

ON Semiconductor MJ11012G

MJ11012G
제조업체 부품 번호
MJ11012G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3
Datesheet 다운로드
다운로드
MJ11012G 가격 및 조달

가능 수량

1343 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 2,918.05100
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of MJ11012G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. MJ11012G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MJ11012G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
MJ11012G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
MJ11012G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-MJ11012G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서MJ11012,15,16
카탈로그 페이지 1554 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장트레이
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 달링턴
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)30A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)60V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic4V @ 300mA, 30A
전류 - 콜렉터 차단(최대)1mA
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce1000 @ 20A, 5V
전력 - 최대200W
주파수 - 트랜지션4MHz
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-204AA, TO-3
공급 장치 패키지TO-3
표준 포장 100
다른 이름MJ11012G-ND
MJ11012GOS
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)MJ11012G
관련 링크MJ11, MJ11012G Datasheet, ON Semiconductor Distributor
MJ11012G 의 관련 제품
47µF 80V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 135°C UBW1K470MPD1TD.pdf
DIODE ARRAY GP 300V 15A TO220F FMXA-2153S.pdf
DIODE GEN PURP 800V 600MA AXIAL RF 1B.pdf
10µH Shielded Wirewound Inductor 2.4A 66 mOhm Max Nonstandard 46103C.pdf
100µH Unshielded Toroidal Inductor 2.4A 130 mOhm Max Radial 2112-V-RC.pdf
RES SMD 2.26KOHM 0.1% 1/10W 0603 RT0603BRD072K26L.pdf
RES SMD 4.75K OHM 2W 2512 WIDE RCL12254K75FKEG.pdf
RES SMD 3.48KOHM 0.5% 1/10W 0603 RT0603DRE073K48L.pdf
RES SMD 61.9KOHM 0.5% 1/20W 0201 RC0201DR-0761K9L.pdf
RES SMD 10.9K OHM 0.1% 1/8W 0805 TNPW080510K9BEEA.pdf
RES SMD 0.025 OHM 0.5% 2W 2512 PE2512DKF7W0R025L.pdf
RES 6.34K OHM 1/4W 1% AXIAL CMF506K3400FKR6.pdf