창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MJD112G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MJD112,117 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1556 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN - 달링턴 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 2A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 100V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 20µA | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V | |
전력 - 최대 | 1.75W | |
주파수 - 트랜지션 | 25MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | MJD112G-ND MJD112GOS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MJD112G | |
관련 링크 | MJD, MJD112G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
![]() | 885012008053 | 4700pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 885012008053.pdf | |
![]() | BFC2373EM184MD | 0.18µF Film Capacitor 63V 250V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | BFC2373EM184MD.pdf | |
![]() | 10013B19G01 | SEMICONDUCTOR FUSE 50A 600 VAC | 10013B19G01.pdf | |
![]() | 824550241 | TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AB | 824550241.pdf | |
![]() | Q8004D4RP | TRIAC 800V 4A TO252 | Q8004D4RP.pdf | |
![]() | DSS4140V-7 | TRANS NPN 40V 1A SOT-563 | DSS4140V-7.pdf | |
![]() | IXTK200N10L2 | MOSFET N-CH 100V 200A TO-264 | IXTK200N10L2.pdf | |
![]() | IXTQ36N20T | MOSFET N-CH 200V TO-3P | IXTQ36N20T.pdf | |
![]() | ISC1812RQ330K | 33µH Shielded Wirewound Inductor 202mA 1.72 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812RQ330K.pdf | |
![]() | MPIA4040R1-3R3-R | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 115 mOhm Max Nonstandard | MPIA4040R1-3R3-R.pdf | |
![]() | RSF2FBR182 | RES MO 2W 0.182 OHM 1% AXIAL | RSF2FBR182.pdf | |
![]() | 92J150E | RES 150 OHM 2.25W 5% AXIAL | 92J150E.pdf |