ON Semiconductor MJD44E3T4G
- 제조업체 부품 번호
- MJD44E3T4G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 단일
- 간단한 설명
- TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
MJD44E3T4G 가격 및 조달
가능 수량
3650 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 248.48778
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of MJD44E3T4G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. MJD44E3T4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MJD44E3T4G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- MJD44E3T4G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
MJD44E3T4G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-MJD44E3T4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | MJD44E3 | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 달링턴 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 10A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 80V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 2V @ 20mA, 10A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 10µA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 5V | |
| 전력 - 최대 | 1.75W | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | MJD44E3T4GOS MJD44E3T4GOS-ND MJD44E3T4GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | MJD44E3T4G | |
| 관련 링크 | MJD44, MJD44E3T4G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
MJD44E3T4G 의 관련 제품
 | EKZM160ETD221MF11D | 220µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 6000 Hrs @ 105°C | EKZM160ETD221MF11D.pdf | |
 | 12065A102GAT2A | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12065A102GAT2A.pdf | |
.jpg) | CGA3E3X8R1H104M080AB | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 X8R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E3X8R1H104M080AB.pdf | |
 | K103M15X7RH53L2 | 10000pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K103M15X7RH53L2.pdf | |
 | ECW-F4155HL | 1.5µF Film Capacitor 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.102" L x 0.539" W (28.00mm x 13.70mm) | ECW-F4155HL.pdf | |
 | PESD24VS5UD,115 | TVS DIODE 24VWM 52VC 6TSOP | PESD24VS5UD,115.pdf | |
 | 445W35E13M00000 | 13MHz ±30ppm 수정 20pF 50옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W35E13M00000.pdf | |
 | ASDMB-20.000MHZ-LC-T | 20MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 16mA Standby (Power Down) | ASDMB-20.000MHZ-LC-T.pdf | |
 | CB2016T101KV | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 90mA 5.85 Ohm Max 0806 (2016 Metric) | CB2016T101KV.pdf | |
 | S0603-151NF3C | 150nH Unshielded Wirewound Inductor 280mA 980 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-151NF3C.pdf | |
.jpg) | RC2012F275CS | RES SMD 2.7M OHM 1% 1/8W 0805 | RC2012F275CS.pdf | |
 | CRA06S083300KJTA | RES ARRAY 4 RES 300K OHM 1206 | CRA06S083300KJTA.pdf |
