ON Semiconductor MJD5731T4G
- 제조업체 부품 번호
- MJD5731T4G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 단일
- 간단한 설명
- TRANS PNP 350V 1A DPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
MJD5731T4G 가격 및 조달
가능 수량
3650 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 257.23526
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of MJD5731T4G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. MJD5731T4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MJD5731T4G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- MJD5731T4G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
MJD5731T4G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-MJD5731T4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | MJD5731 | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 350V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100µA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.56W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 10MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | MJD5731T4G-ND MJD5731T4GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | MJD5731T4G | |
| 관련 링크 | MJD57, MJD5731T4G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
MJD5731T4G 의 관련 제품
 | K151K10C0GH5UL2 | 150pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K151K10C0GH5UL2.pdf | |
 | C911U680JYSDAA7317 | 68pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | C911U680JYSDAA7317.pdf | |
.85mm.jpg) | GRM2196P2A5R5DD01D | 5.5pF 100V 세라믹 커패시터 P2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2196P2A5R5DD01D.pdf | |
| MKP385351125JFM2B0 | 0.051µF Film Capacitor 450V 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.394" W (17.50mm x 10.00mm) | MKP385351125JFM2B0.pdf | |
.jpg) | MC12ED200G-F | 20pF Mica Capacitor 500V 1210 (3225 Metric) 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) | MC12ED200G-F.pdf | |
 | ECS-400-10-37Q-ES-TR | 40MHz ±30ppm 수정 10pF 70옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-400-10-37Q-ES-TR.pdf | |
| SG-310SEF 27.0000MB3 | 27MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V 2mA Standby (Power Down) | SG-310SEF 27.0000MB3.pdf | |
 | SIT1602ACU3-18E | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 3.9mA Enable/Disable | SIT1602ACU3-18E.pdf | |
| NGTB20N120IHTG | IGBT 1200V 20A TO247 | NGTB20N120IHTG.pdf | |
 | VLS201612ET-6R8M-CA | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 600mA 708 mOhm Max Nonstandard | VLS201612ET-6R8M-CA.pdf | |
 | MCR01MRTF4301 | RES SMD 4.3K OHM 1% 1/16W 0402 | MCR01MRTF4301.pdf | |
.jpg) | CSR2512JKR200 | RES SMD 0.2 OHM 5% 2W 2512 | CSR2512JKR200.pdf |
