Vishay BC Components MMBZ4686-HE3-18
- 제조업체 부품 번호
- MMBZ4686-HE3-18
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 3.9V 350MW SOT23-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
MMBZ4686-HE3-18 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 39.69730
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of MMBZ4686-HE3-18, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. MMBZ4686-HE3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMBZ4686-HE3-18, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- MMBZ4686-HE3-18 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
MMBZ4686-HE3-18 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBZ4686-HE3-18 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | MMBZ4681 thru MMBZ4717 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | MMBZ4686-HE3-18 | |
| 관련 링크 | MMBZ468, MMBZ4686-HE3-18 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
MMBZ4686-HE3-18 의 관련 제품
 | B41896D5188M | 1800µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 119 mOhm @ 120Hz 7000 Hrs @ 125°C | B41896D5188M.pdf | |
| SR641A103JARTR1 | 10000pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.300" L x 0.150" W(7.62mm x 3.81mm) | SR641A103JARTR1.pdf | |
.jpg) | MC18FA391G-F | 390pF Mica Capacitor 100V 1812 (4532 Metric) 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) | MC18FA391G-F.pdf | |
 | 06033J180GAWTR | 18pF Thin Film Capacitor 25V 0603 (1608 Metric) 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) | 06033J180GAWTR.pdf | |
 | CM309E6000000AAET | 6MHz ±30ppm 수정 12pF 80옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | CM309E6000000AAET.pdf | |
 | 416F44022IKR | 44MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F44022IKR.pdf | |
| BR1010SG-G | BRIDGE RECTIFIER 10A 1000V BR8 R | BR1010SG-G.pdf | |
| FR20KR05 | DIODE GEN PURP REV 800V 20A DO5 | FR20KR05.pdf | |
 | RMCF0805FG1K21 | RES SMD 1.21K OHM 1% 1/8W 0805 | RMCF0805FG1K21.pdf | |
 | RG2012N-3833-D-T5 | RES SMD 383K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012N-3833-D-T5.pdf | |
.jpg) | TNPW120666K5BEEA | RES SMD 66.5K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120666K5BEEA.pdf | |
 | CW00112R00JE70HS | RES 12 OHM 5% AXIAL | CW00112R00JE70HS.pdf |
