Diodes Incorporated MMBZ5223B-7-F
- 제조업체 부품 번호
- MMBZ5223B-7-F
- 제조업 자
- Diodes Incorporated
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 2.7V 350MW SOT23-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
MMBZ5223B-7-F 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 23.00538
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of MMBZ5223B-7-F, we specialize in all series Diodes Incorporated electronic components. MMBZ5223B-7-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMBZ5223B-7-F, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- MMBZ5223B-7-F 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
MMBZ5223B-7-F 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5223B-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | MMBZ5221B - 5259B | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 | |
| PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1579 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.7V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 350mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 75µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBZ5223B-FDITR MMBZ5223B7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | MMBZ5223B-7-F | |
| 관련 링크 | MMBZ52, MMBZ5223B-7-F Datasheet, Diodes Incorporated Distributor | |
MMBZ5223B-7-F 의 관련 제품
 | S472M39Z5UN63J6R | 4700pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 Z5U 방사형, 디스크 0.394" Dia(10.00mm) | S472M39Z5UN63J6R.pdf | |
| MKP383251100JC02Z0 | 5100pF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | MKP383251100JC02Z0.pdf | |
 | 1SMB33AT3G | TVS DIODE 33VWM 53.3VC SMB | 1SMB33AT3G.pdf | |
| GL120F35CDT | 12MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL120F35CDT.pdf | |
 | ASTMHTV-19.200MHZ-AJ-E | 19.2MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTV-19.200MHZ-AJ-E.pdf | |
 | ASTMHTA-32.000MHZ-ZC-E-T3 | 32MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTA-32.000MHZ-ZC-E-T3.pdf | |
 | HN2D01FU(TE85L,F) | DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6 | HN2D01FU(TE85L,F).pdf | |
| CAL45VB6R8K | 6.8µH Unshielded Wirewound Inductor 2A 97 mOhm Max Axial | CAL45VB6R8K.pdf | |
 | ERJ-PA3D33R0V | RES SMD 33 OHM 0.5% 1/4W 0603 | ERJ-PA3D33R0V.pdf | |
 | SM6227FT732R | RES SMD 732 OHM 1% 3W 6227 | SM6227FT732R.pdf | |
 | RCP0603B47R0GS2 | RES SMD 47 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603B47R0GS2.pdf | |
 | CMF552R0000FKRE | RES 2 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF552R0000FKRE.pdf |
