ON Semiconductor MMBZ5225BLT1G
- 제조업체 부품 번호
- MMBZ5225BLT1G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 3V 225MW SOT23-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
MMBZ5225BLT1G 가격 및 조달
가능 수량
7150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 16.59674
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of MMBZ5225BLT1G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. MMBZ5225BLT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMBZ5225BLT1G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- MMBZ5225BLT1G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
MMBZ5225BLT1G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5225BLT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | MMBZ/SZMMBZ52xxBLT1G Series | |
| PCN 설계/사양 | Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire 08/Jun/2009 | |
| 카탈로그 페이지 | 1558 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 225mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 29옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBZ5225BLT1GOS MMBZ5225BLT1GOS-ND MMBZ5225BLT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | MMBZ5225BLT1G | |
| 관련 링크 | MMBZ52, MMBZ5225BLT1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
MMBZ5225BLT1G 의 관련 제품
 | UWH1E101MCL1GS | 100µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1000 Hrs @ 125°C | UWH1E101MCL1GS.pdf | |
 | VJ1206A221KXGAT5Z | 220pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | VJ1206A221KXGAT5Z.pdf | |
 | ECS-120-20-5PDN-TR | 12MHz ±30ppm 수정 20pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-120-20-5PDN-TR.pdf | |
 | ECS-270-10-36Q-DS-TR | 27MHz ±30ppm 수정 10pF 60옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-270-10-36Q-DS-TR.pdf | |
 | SIT9002AI-13N33EQ | 1MHz ~ 220MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 84mA Enable/Disable | SIT9002AI-13N33EQ.pdf | |
 | SI1469DH-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6 | SI1469DH-T1-E3.pdf | |
 | S1008-152K | 1.5µH Shielded Inductor 545mA 420 mOhm Max Nonstandard | S1008-152K.pdf | |
 | PTKM250R-50H | 250µH Shielded Toroidal Inductor 1.84A 160 mOhm Max Radial | PTKM250R-50H.pdf | |
 | ERJ-1GNF8660C | RES SMD 866 OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GNF8660C.pdf | |
| CRGV2010F73K2 | RES SMD 73.2K OHM 1% 1/2W 2010 | CRGV2010F73K2.pdf | |
 | RCP2512W220RJET | RES SMD 220 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512W220RJET.pdf | |
 | CA00021R500KR18 | RES 1.5 OHM 2W 10% AXIAL | CA00021R500KR18.pdf |
