창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5226B-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MMBZ5221B - 5259B | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 | |
PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1579 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.3V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 350mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 28옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MMBZ5226B-FDITR MMBZ5226B7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MMBZ5226B-7-F | |
관련 링크 | MMBZ52, MMBZ5226B-7-F Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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![]() | 7Q-16.369MBS-T | 16.369MHz Clipped Sine Wave VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 2mA | 7Q-16.369MBS-T.pdf | |
![]() | LQW18ANR16G00D | 160nH Unshielded Wirewound Inductor 150mA 2.1 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | LQW18ANR16G00D.pdf | |
![]() | SI8230AB-D-ISR | 500mA Gate Driver Capacitive Coupling 2500Vrms 2 Channel 16-SOIC | SI8230AB-D-ISR.pdf | |
![]() | ERJ-PA3F4990V | RES SMD 499 OHM 1% 1/4W 0603 | ERJ-PA3F4990V.pdf | |
![]() | MCR18EZHF56R2 | RES SMD 56.2 OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18EZHF56R2.pdf | |
SBCHE44K7J | RES 4.70K OHM 4W 5% AXIAL | SBCHE44K7J.pdf | ||
![]() | CMF50200K00FKEB | RES 200K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50200K00FKEB.pdf | |
![]() | 91J350 | RES 350 OHM 1.5W 5% AXIAL | 91J350.pdf | |
![]() | E3T-FD13 | SENS OPTO REFL 5MM-30MM WIR FLAT | E3T-FD13.pdf | |
![]() | P51-75-A-T-P-5V-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-75-A-T-P-5V-000-000.pdf |