ON Semiconductor MMBZ5248BLT1G
- 제조업체 부품 번호
- MMBZ5248BLT1G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 18V 225MW SOT23-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
MMBZ5248BLT1G 가격 및 조달
가능 수량
19150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 16.59674
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of MMBZ5248BLT1G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. MMBZ5248BLT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMBZ5248BLT1G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- MMBZ5248BLT1G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
MMBZ5248BLT1G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5248BLT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | MMBZ/SZMMBZ52xxBLT1G Series | |
| PCN 설계/사양 | Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire 08/Jun/2009 | |
| 카탈로그 페이지 | 1558 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 225mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 21옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 14V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | MMBZ5248BLT1GOS MMBZ5248BLT1GOS-ND MMBZ5248BLT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | MMBZ5248BLT1G | |
| 관련 링크 | MMBZ52, MMBZ5248BLT1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
MMBZ5248BLT1G 의 관련 제품
 | 6SLE47M | 47µF 6.3V Aluminum - Polymer Capacitors 2917 (7343 Metric) 9 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | 6SLE47M.pdf | |
 | 630D107G030DD2A | 100µF 30V Aluminum Capacitors Axial, Can | 630D107G030DD2A.pdf | |
-55.jpg) | C1608JB1V474M080AB | 0.47µF 35V 세라믹 커패시터 JB 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608JB1V474M080AB.pdf | |
-14.jpg) | C3216C0G2A473K115AC | 0.047µF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C3216C0G2A473K115AC.pdf | |
 | VJ0402D1R8CXBAC | 1.8pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D1R8CXBAC.pdf | |
 | 416F380X2IDR | 38MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F380X2IDR.pdf | |
 | IM02EB5R6K | 5.6µH Unshielded Molded Inductor 185mA 1.8 Ohm Max Axial | IM02EB5R6K.pdf | |
| S4924-181J | 180nH Shielded Inductor 2.835A 47 mOhm Max Nonstandard | S4924-181J.pdf | |
| S4924R-122H | 1.2µH Shielded Inductor 1.92A 100 mOhm Max Nonstandard | S4924R-122H.pdf | |
 | RG2012N-303-B-T5 | RES SMD 30K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012N-303-B-T5.pdf | |
 | Y11200R90000D9W | RES SMD 0.9 OHM 0.5% 1/4W 1610 | Y11200R90000D9W.pdf | |
| MS46LR-30-350-Q1-15X-10R-NC-FN | SYSTEM | MS46LR-30-350-Q1-15X-10R-NC-FN.pdf |
