창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MMBZ5256C-E3-18 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MMBZ5225 thru MMBZ5267 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 49옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 23V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | MMBZ5256C-E3-18 | |
관련 링크 | MMBZ525, MMBZ5256C-E3-18 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
![]() | NOJB107M001RWJ | 100µF Niobium Oxide Capacitor 1.8V 1210 (3528 Metric) 1.4 Ohm ESR | NOJB107M001RWJ.pdf | |
![]() | 0RLN070.V | FUSE CRTRDGE 70A 250VAC CYLINDR | 0RLN070.V.pdf | |
![]() | BK1/MCRW300MA | FUSE BOARD MNT 300MA 125VAC/VDC | BK1/MCRW300MA.pdf | |
![]() | MM3Z16VST1G | DIODE ZENER 16.18V 200MW SOD323 | MM3Z16VST1G.pdf | |
![]() | CR105NP-470KC | 47µH Unshielded Inductor 1.28A 170 mOhm Max Nonstandard | CR105NP-470KC.pdf | |
![]() | RC0603FR-0756KL | RES SMD 56K OHM 1% 1/10W 0603 | RC0603FR-0756KL.pdf | |
![]() | RMCF1206JG20K0 | RES SMD 20K OHM 5% 1/4W 1206 | RMCF1206JG20K0.pdf | |
![]() | TNPW060310R2BETA | RES SMD 10.2 OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060310R2BETA.pdf | |
![]() | CRCW08057R96FKTA | RES SMD 7.96 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08057R96FKTA.pdf | |
![]() | RC14JB36R0 | RES 36 OHM 1/4W 5% AXIAL | RC14JB36R0.pdf | |
![]() | MBB0207CC1071FC100 | RES 1.07K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB0207CC1071FC100.pdf | |
![]() | HMC284AMS8GETR | RF Switch IC Cellular, ISM, PCS SPDT 3.5GHz 50 Ohm 8-MSOPG | HMC284AMS8GETR.pdf |